FAN5365：降压稳压器

飞兆半导体公司推出一款6MHz、800mA/1A的数字可编程降压稳压器产品FAN5365。

    FAN5365采用1.27mm x1.29mm的9-bumpWLCSP封装，是目前较小的6MHzDVS降 稳压器,适用于智能手机、超移动PC、平板电脑和无线宽带热点设备等单一锂离子电池供电设备的理想内核直b理器供电器件。

    FAN5365在轻负载高教率PFMl模式下消耗40μA的静态电流。对于较大的负载，这款稳压器将自动转换同定频牢为6MHz的PWM模式，允许设计人员使用低成本的小型片状电感和电容。FAN5365支持高达800mA或1A的负载电流，还提供一个引脚选择两级输出电压或I2C Bus接口可编程输出电压，以12.5mV增量在0.75V~.975V范围内调节。

    此外，FAN5365支持从2.3V-5.5V的范围更广的锂离予电池电压范翻，并提供保护功能，包括短路限流保护、热保护和欠压锁定。 

IR3837M/38M/9M：集成式稳压器

国际整流器公司宣布拓展其SuplRBuck集成式负载点(POL)稳压器系列。新器件适用于节能高教的服务器、存储系统、电信系统和网络通信应用。

IR3837M、IR3838M和1R3839M SuplRBuck稳压器和跟踪器在5mmx6mm的超薄PQFN封装内集成了赫性能的控制器和IR最新的MOSFET,分别提供14A、10A和6A的输出电流，以达到超过96％的峰值效率。新产品可提供接比上一代器件更多的功能．其中包括4.5V~16V单轨输入电压、用于裕度的外部参考、内部数字软启动和外部同步等．以减少多轨系统的噪声和EMI。此外，新器件可针对DDR内存跟踪或排序进行配置，并利用跟踪能力为欠压和过压检测提供电源良好喻出，以减少其他同类解决方案在实现这些功能时所需的多个外部元件。 新器件的温度范围为0℃~125℃，参考电压精度为0.6V±1％．可提供非常精确的稳压及5V外部偏置选项，有助提高轻负载效率。

MRF8S18260H，S、MRF8P18265H/S和MRF8S1 9260H/S：功率晶体管

飞思卡尔半导体推出3款新型RF LDMOS功率晶体管，提供在无线基站收发器里使用Doherty多载渡功率放大器(MCPA)要求的超高输出电平。

    MRFSS18260H/S、MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S产品是飞思卡尔RF功率放大器中高压第8代(HV8)产品系列的最新成员．适用于1800和1900MHz频段。

    MCPA支持无线服务提供商提高现有基站的覆盖而和功率。MCPA技术允许单个放大器处理多个载波，Doherty配置提高了功率放大器的能源效率。

晶体管通过内部匹配提供简化的总成．性能牢固，在32V的直流电压中生成10：1 VSWR的额定功率。它们被安装到飞思卡尔Nl1230陶瓷气腔封装包里，提供集成的静电放电(ESD)保护，从而更好地防止在总成线上所遇到杂散电压；当以c类模式操作时．-6V至+10V这样广泛门限电压范围则能提高其性能。

MRF8P18265H/S是双路径器件，在单个封装中需要同时集成载波和峰值放大器来实施Doherty末级别放大器。

SiHP16N50C等：功率MOSFET

    Vishay Intertechnology宣布推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16NSOC、SiHB16N50C 和SiHG16N50C。 新MOSFET 在10V栅极驱动下具有0.38欧的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC， 采朋TO-220AB、TO-220 FULLPAK D2PAK和TO-247AC封装。适合包括笔记本电脑的交流适配器、PC机电源、LCD1V和开放式电源。

    栅极电荷为68nC。栅极电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值系数（FOM)，这些MOSFET的FOM只有25.840-nC。这些器件符台RoHS指令2002/95EC,且经过了雪崩测试，以实现可靠工作。

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